High-Current Film Capacitor Snubber para sa Welding Machine (SMJ-TC)

Maikling Paglalarawan:

Modelo ng Capacitor: SMJ-TC

Mga Tampok:

1. Copper nuts electrodes

2. Maliit na pisikal na sukat at madaling pag-install

3. Mylar tape winding technology

4. Dry resin filling

5. Mababang Equivalent Series Inductance (ESL) at Equivalent Series Resistance (ESR)

Mga Application:

1. GTO Snubber

2. Peak Voltage at Peak Current Absorption at Proteksyon para sa Switching Component sa Electronic Equipment

Ang mga snubber circuit ay mahalaga para sa mga diode na ginagamit sa mga switching circuit.Maaari itong i-save ang isang diode mula sa overvoltage spike, na maaaring lumabas sa panahon ng reverse recovery process.

Magpadala ng email sa amin I-download bilang PDF

Detalye ng Produkto

Mga Tag ng Produkto

Teknikal na data

Saklaw ng temperatura ng pagpapatakbo	Max. Operating temperature.,Itaas,max: + 85℃Temperatura sa itaas na kategorya: +85℃Mababang temperatura ng kategorya: -40℃
saklaw ng kapasidad	0.22～3μF
Na-rate na boltahe	3000V.DC～10000V.DC
Cap.tol	±5%(J) ;±10%(K)
Makatiis ng boltahe	1.35Un DC/10S
Dissipation factor	tgδ≤0.001 f=1KHz
Paglaban sa pagkakabukod	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (sa 20℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S (sa 20℃ 100V.DC 60S)
Makatiis sa kasalukuyang strike	tingnan ang datasheet
Pag-asa sa buhay	100000h(Un; Θhotspot≤70°C)
Batayang pamantayan	IEC 61071 ;

Tampok

1. Mylar tape, Tinatakan ng dagta;

2. Copper nut leads;

3. Paglaban sa mataas na boltahe, mababang tgδ, mababang pagtaas ng temperatura;

4. mababang ESL at ESR;

5. Mataas na pulso Kasalukuyang.

Aplikasyon

1. GTO Snubber.

2. Malawakang ginagamit sa kapangyarihan electronic na kagamitan kapag ang peak boltahe, peak kasalukuyang pagsipsip proteksyon.

Karaniwang circuit

Outline drawing

Pagtutukoy

Un=3000V.DC
Kapasidad (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	35	44	52	25	1100	242	30
0.33	43	44	52	25	1000	330	35
0.47	51	44	52	22	850	399	45
0.68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
Kapasidad (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	43	60	72	25	1500	330	35
0.33	52	60	72	25	1200	396	45
0.47	62	60	72	25	1000	470	50
0.68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
Kapasidad (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	45	57	72	25	1100	242	30
0.68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
Kapasidad(μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.33	35	90	102	30	1100	363	25
0.47	41	90	102	28	1000	470	30
0.68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
Kapasidad (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.33	45	114	123	35	1500	495	30
0.47	54	114	123	35	1300	611	35
0.68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70