E-mail: info@cre-elec.com
English
  • bbb

Gawang pabrika na mainit na benta na Snubber Para sa High Powered Thyristor - Mataas na uri ng disenyo ng IGBT Snubber capacitor para sa mga aplikasyon na may mataas na lakas – CRE

Gawang pabrika na mainit na ibinebentang Snubber Para sa High Powered Thyristor - Mataas na uri ng disenyo ng IGBT Snubber capacitor para sa mga aplikasyon na may mataas na lakas – Itinatampok na Larawan ng CRE
  • Gawang pabrika na mainit na benta na Snubber Para sa High Powered Thyristor - Mataas na uri ng disenyo ng IGBT Snubber capacitor para sa mga aplikasyon na may mataas na lakas – CRE
  • Gawang pabrika na mainit na benta na Snubber Para sa High Powered Thyristor - Mataas na uri ng disenyo ng IGBT Snubber capacitor para sa mga aplikasyon na may mataas na lakas – CRE
  • Gawang pabrika na mainit na benta na Snubber Para sa High Powered Thyristor - Mataas na uri ng disenyo ng IGBT Snubber capacitor para sa mga aplikasyon na may mataas na lakas – CRE
  • Gawang pabrika na mainit na benta na Snubber Para sa High Powered Thyristor - Mataas na uri ng disenyo ng IGBT Snubber capacitor para sa mga aplikasyon na may mataas na lakas – CRE

Maikling Paglalarawan:


I-download bilang PDF

Detalye ng Produkto

Mga Tag ng Produkto

Kaugnay na Video

Feedback (2)

"Ang kalidad ang una; ang serbisyo ang pinakamahalaga; ang negosyo ay kooperasyon" ang aming pilosopiya sa negosyo na patuloy na sinusunod at sinusunod ng aming kumpanya para saKapasitor ng Elektronikong Elektroniko ng AC Filter, Mga Dc Power Film Capacitor , AC Filter Para sa Aplikasyon ng Eps, Taos-puso kaming umaasa na makapagtatag ng kasiya-siyang ugnayan sa iyo sa malapit na hinaharap. Patuloy ka naming ipapaalam sa amin ang aming progreso at inaasahan ang pagbuo ng matatag na ugnayan sa negosyo sa iyo.
Gawang pabrika na mainit na benta na Snubber Para sa High Powered Thyristor - Mataas na klaseng disenyo ng IGBT Snubber capacitor para sa mga aplikasyon na may mataas na lakas – Detalye ng CRE:

Teknikal na datos

Saklaw ng temperatura ng pagpapatakbo Pinakamataas na temperatura ng pagpapatakbo., Itaas, pinakamataas: +105℃

Temperatura sa itaas na kategorya: +85℃

Temperatura sa mas mababang kategorya: -40℃
saklaw ng kapasidad 0.1μF～5.6μF
Na-rate na boltahe 700V.DC～3000V.DC
Kap.tol ±5%(J);±10%(K)
Makatiis ng boltahe 1.5Un DC/10S
Salik ng pagwawaldas tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz

tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
Paglaban sa pagkakabukod

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (sa 20℃ 100V.DC 60S)

C＞0.33μF RS*C≥5000S (sa 20℃ 100V.DC 60S)
Makayanan ang strike current

tingnan ang datasheet
Pagkaantala ng apoy

UL94V-0
Inaasahang haba ng buhay

100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
Pamantayan ng sanggunian

IEC61071;GB/T17702;

Talahanayan ng detalye

Boltahe Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
Dimensyon (mm)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Mga Irm @40℃ @100KHz (A)
0.47 42.5 24.5 27.5 12 25 500 235 8
0.68 42.5 24.5 27.5 10 25 480 326.4 10
1 42.5 24.5 27.5 8 24 450 450 12
1.5 42.5 33.5 35.5 7 25 430 645 5
2 42.5 33 35.5 6 24 420 840 15
2.5 42.5 33 45 6 23 400 1000 18
3 42.5 33 45 5.5 22 380 1140 20
3 57.5 30 45 5 26 350 1050 22
3.5 42.5 33 45 5 23 350 1225 25
3.5 57.5 30 45 6 25 300 1050 22
4.7 57.5 35 50 5 28 280 1316 25
5.6 57.5 38 54 4 30 250 1400 25
6 57.5 38 54 3.5 33 230 1380 28
6.8 57.5 42.5 56 3.2 32 220 1496 32
8 57.5 42.5 56 2.8 30 200 1600 33
Boltahe Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
Dimensyon (mm)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Mga Irm
0.47 42.5 24.5 27.5 11 25 1000 470 10
0.68 42.5 24.5 27.5 8 25 800 544 12
1 42.5 33.5 35.5 6 24 800 800 15
1.5 42.5 33 45 6 24 700 1050 15
2 42.5 33 45 5 22 700 1400 20
2.5 57.5 30 45 5 30 600 1500 22
3 57.5 35 50 4 30 600 1800 25
3.3 57.5 35 50 3.5 28 550 1815 25
3.5 57.5 38 54 3.5 28 500 1750 25
4 57.5 38 54 3.2 26 500 2000 28
4.7 57.5 42.5 56 3 25 420 1974 30
5.6 57.5 42.5 56 2.8 24 400 2240 32
Boltahe Un 1200V.DC, Urms550Vac; Us1800V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Mga Irm
0.47 42.5 24.5 27.5 11 24 1200 564 10
0.68 42.5 33.5 35.5 7 23 1100 748 12
1 42.5 33.5 35.5 6 22 800 800 14
1.5 42.5 33 45 5 20 800 1200 15
2 57.5 30 45 4 30 750 1500 20
2.5 57.5 35 50 4 28 700 1750 25
3 57.5 35 50 4 27 600 1800 25
3.3 57.5 38 54 4 27 550 1815 28
3.5 57.5 38 54 3.5 25 500 1750 28
4 57.5 42.5 56 3.5 25 450 1800 30
4.7 57.5 42.5 56 3.2 23 420 1974 32
Boltahe Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Mga Irm
0.33 42.5 24.5 27.5 12 25 1300 429 9
0.47 42.5 24.5 27.5 10 24 1300 611 10
0.68 42.5 33.5 35.5 8 23 1300 884 12
1 42.5 33 45 7 22 1200 1200 15
1.5 42.5 33 45 6 22 1200 1800 18
1.5 57.5 30 45 5 31 1200 1800 20
2 57.5 30 45 5 30 1100 2200 22
2.5 57.5 35 50 4 28 1100 2750 25
3 57.5 38 54 4 27 700 2100 25
3.3 57.5 38 54 3.8 26 600 1980 28
3.5 57.5 42.5 56 3.5 25 500 1750 30
4 57.5 42.5 56 3.2 25 450 1800 32
Boltahe Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Mga Irm
0.22 42.5 24.5 27.5 15 25 1500 330 10
0.33 42.5 33.5 35.5 12 24 1500 495 12
0.47 42.5 33.5 35.5 11 23 1400 658 15
0.68 42.5 33 45 8 22 1200 816 18
0.68 57.5 30 45 7 30 1100 748 20
0.82 42.5 33 45 7 28 1200 984 22
1 57.5 30 45 6 28 1100 1100 25
1.5 57.5 35 50 5 25 1000 1500 28
2 57.5 38 54 5 24 800 1600 28
2.2 57.5 42.5 56 4 23 700 1540 32
Boltahe Un 3000V.DC, Urms750Vac; Us4500V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Mga Irm
0.15 42.5 33 45 18 28 2500 375 25
0.22 42.5 33 45 15 27 2200 484 28
0.22 57.5 35 50 15 25 2000 330 20
0.33 57.5 35 50 12 24 1800 495 20
0.47 57.5 38 54 11 23 1600 752 22
0.68 57.5 42.5 56 8 22 1500 1020 28
Mga larawan ng detalye ng produkto:

Gawang pabrika na mainit na benta na Snubber Para sa High Powered Thyristor - Mataas na klaseng disenyo ng IGBT Snubber capacitor para sa mga aplikasyon na may mataas na lakas – mga detalyadong larawan ng CRE

Gawang pabrika na mainit na benta na Snubber Para sa High Powered Thyristor - Mataas na klaseng disenyo ng IGBT Snubber capacitor para sa mga aplikasyon na may mataas na lakas – mga detalyadong larawan ng CRE

Gawang pabrika na mainit na benta na Snubber Para sa High Powered Thyristor - Mataas na klaseng disenyo ng IGBT Snubber capacitor para sa mga aplikasyon na may mataas na lakas – mga detalyadong larawan ng CRE

Gawang pabrika na mainit na benta na Snubber Para sa High Powered Thyristor - Mataas na klaseng disenyo ng IGBT Snubber capacitor para sa mga aplikasyon na may mataas na lakas – mga detalyadong larawan ng CRE

Gabay sa Kaugnay na Produkto:
Sa mga nakalipas na ilang taon, nasisipsip at natutunaw ng aming kumpanya ang mga makabagong teknolohiya sa loob at labas ng bansa. Samantala, ang aming kumpanya ay may pangkat ng mga eksperto na nakatuon sa pagbuo ng Gawang Pabrika na mainit na benta na Snubber Para sa Mataas na Pinapagana na Thyristor - Mataas na uri ng IGBT Snubber capacitor na may disenyo para sa mga aplikasyon na may mataas na kapangyarihan – CRE. Ang produkto ay isusuplay sa buong mundo, tulad ng: Iraq, Monaco, Serbia. Upang mapanatili ang nangungunang posisyon sa aming industriya, hindi kami tumitigil sa paghamon sa limitasyon sa lahat ng aspeto upang lumikha ng mga ideal na produkto. Sa kanyang paraan, mapayayaman namin ang aming pamumuhay at maisusulong ang isang mas mahusay na kapaligiran sa pamumuhay para sa pandaigdigang komunidad.
    • Maaaring isipin ng kompanya ang ating iniisip, ang pagmamadali ng pagkilos para sa interes ng ating posisyon, masasabing isa itong responsableng kompanya, nagkaroon tayo ng masayang kooperasyon! 5 Bituin Ni Elsa mula sa Tunisia - 2018.06.03 10:17
    Matagal na kaming magkarelasyon, walang nakakadismaya sa bawat pagkakataon, umaasa kaming mapanatili ang pagkakaibigang ito sa hinaharap! 5 Bituin Ni Margaret mula sa Houston - 2018.02.21 12:14

    Ipadala ang iyong mensahe sa amin:

    Isulat ang iyong mensahe dito at ipadala ito sa amin

    Mga kategorya ng produkto

    Ipadala ang iyong mensahe sa amin: